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LGY1K682MELC45 全國供應商、價格、PDF資料

LGY1K682MELC45詳細規格: 類別：電容器; 描述：CAP ALUM 6800UF 80V 20% SNAP; 系列：GY; 制造商：Nichicon; 電容：6800µF; 額定電壓：80V; 容差：±20%; 壽命0a0溫度：105°C 時為 5000 小時; 工作溫度：-40°C ~ 105°C; 特點：通用; 紋波電流：3.5A; ESR（等效串聯電阻）：-; 阻抗：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：徑向，Can - 卡入式; 尺寸/尺寸：1.378" 直徑（35.00mm）; 高度_座高（最大）：1.850"（47.00mm）; 引線間隔：0.394"（10.00mm）; 表面貼裝占地面積：-; 包裝：散裝

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GRM31MF51E684ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.68UF 25V Y5V 1206
IDT70V3599S133BFI
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA
LGY1K472MELB45
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 4700UF 80V 20% SNAP
DS1135U-15+
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC DELAY LINE 15NS 8-USOP
IMC1812EB121K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120UH 10% 1812
DTS120150U/AC1-P6N
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1500MA P6 NEG C
IHSM4825RE102L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1000UH 0.24A SMD
DSL03-024SC6
其它 STMicroelectronics IC PROTECTION DSL SOT23-6
IDT70V3599S166BC
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA
IMC1812EB220J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 22UH 5% 1812
DTS120150U/AC1-Z7N
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1500MA P7 NEG C
DS1135U-25/T&R
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC DELAY LINE 25NS 8-USOP
IHSM4825RE120L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 12UH 2.7A SMD
DSM10G-TR-E
單二極管/整流器 ON Semiconductor 2-SMD，J 形引線 DIODE POWER 600V 1A SMD
IDT70V3599S166BFG
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208FPBGA

復制成功！