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KSC2690AOS詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 160V 1.2A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：160V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 200mA，1A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 300mA，5V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉換：155MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應商設備封裝：TO-126; 包裝：散裝

KSC2690AOSTSTU詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 160V 1.2A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：160V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 200mA，1A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 300mA，5V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉換：155MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應商設備封裝：TO-126; 包裝：管件

KSC2690AYS詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 160V 1.2A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：160V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 200mA，1A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，5V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉換：155MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應商設備封裝：TO-126; 包裝：散裝

KSC2690AYSTSTU詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 160V 1.2A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：160V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 200mA，1A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 300mA，5V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉換：155MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應商設備封裝：TO-126; 包裝：管件

KSC2690AYSTU詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 160V 1.2A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：160V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 200mA，1A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 300mA，5V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉換：155MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應商設備封裝：TO-126; 包裝：管件

KSC2690YSTU詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 120V 1.2A TO-126; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1.2A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：120V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：700mV @ 200mA，1A; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 300mA，5V; 功率_最大：1.2W; 頻率_轉換：155MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-225AA，TO-126-3; 供應商設備封裝：TO-126; 包裝：管件

P51-50-G-G-P-4.5OVP-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 50PSI 1/8-27NPT .5-4.5V
PDL-245-1
標簽，標記 Panduit Corp TO-46-2，金屬罐 LABEL S LAM DM VNL WHT .75X1.75"
PA1819.028
配件 Greenlee Communications BEARING REPLACEMENT KS42
KSC2690AYSTSTU
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-225AA，TO-126-3 TRANSISTOR NPN 160V 1.2A TO-126
PE-53606
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCT PWR 167UH SMD
PAT0603E7150BST1
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0603（1608 公制） RES 715 OHM 0.15W 0.1% 0603
KTR18EZPF3903
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 390K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
PMEG4020ETR,115
單二極管/整流器 NXP Semiconductors SOD-123W SCHOTTKY RECT 40V 2A SOD123W
P51-50-G-H-D-20MA-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 50PSI M12-1.5 6G 4-20MA
PA1819.029
配件 Greenlee Communications ECCENTRIC LEVER REPLACEMENT KS42
PAT0603E7151BST1
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0603（1608 公制） RES 7.15K OHM 0.15W 0.1% 0603
PE-53606NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCT PWR 167UH SMD
KTR18EZPF4321
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 4.32K OHM 1/4W 1% 1206 SMD
PMEG6002EJ,115
單二極管/整流器 NXP Semiconductors SC-90，SOD-323F SCHOTTKY RECT 60V 200MA SOD-323F
PDL-249
標簽，標記 Panduit Corp TO-46-2，金屬罐 LABEL S LAM DM VNL WHT 1X.75"

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