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IRLML6302TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.45V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V; 功率_最大：540mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLML6302TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.45V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V; 功率_最大：540mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLML6302TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.45V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V; 功率_最大：540mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：Digi-Reel®

IRLML6302TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：780mA; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫歐 @ 610mA，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.6nC @ 4.45V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：97pF @ 15V; 功率_最大：540mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro3?/SOT-23; 包裝：帶卷 (TR)

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