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IRL640STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL640STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRL640STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRL640STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL640STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL640STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 10A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

CVCO55BE-2560-3200
振蕩器 - VCO（電壓控制振蕩器） Crystek Corporation 16-QFN，變式 OSC VCO 2560-3200MHZ SMD .5X.5"
HCM49-4.032MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.032 MHZ 18PF SMD
IRL640STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
JB15HKP-1G
觸摸 NKK Switches 9-DIP 模塊 SWITCH TACT SPST-NO 0.125A 24V
ISL6520AIB-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
FMAC-0974-K152I
線路濾波器 Schurter Inc SC-74A，SOT-753 FMAC INPUT FLTR 3-PH 1100A SPEZ
IXTB62N50L
FET - 單 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
JMK107BJ225MA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 2.2UF 6.3V 20% X5R 0603
HCM49-4.032MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.032 MHZ 18PF SMD
JB15KH-6A
觸摸 NKK Switches 9-DIP 模塊 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
ISL6520BCBZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
IXTC102N25T
FET - 單 IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
FMAD-0932-1610
線路濾波器 Schurter Inc SC-74A，SOT-753 FMAD INPUT FILTER 16A
JMK107BJ335KA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 3.3UF 6.3V 10% X5R 0603
HCM49-4.032MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.032 MHZ 18PF SMD

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