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IRL630詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 5.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：74W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRL630A詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- 系列：-
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 4.5A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：755pF @ 25V
- 功率_最大：69W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220
- 包裝：管件
IRL630PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 5.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：74W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRL630S詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 5.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL630SPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 5.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL630STRL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：400 毫歐 @ 5.4A，5V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div LENS LONG DISTANCE REFLECTION
- FET - 單 International Rectifier * MOSFET N CH 40V 195A TO-262
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America CSP-20 IC VOICE REC/PL 4-8MIN IN CSP
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER AC/DC-LOG 8-SMD GW
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC SWITCH MP3/USB2.0 HS 10-TDFN
- 近程 Omron Electronics Inc-IA Div - SENSOR PHOTO TB NPN 18M METAL
- PMIC - 電源管理 - 專用 Intersil 28-VQFN 裸露焊盤 IC REG/CTRLR ACPI DUAL DDR 28QFN
- FET - 單 International Rectifier 6-LSOP（0.063"，1.60mm 寬） MOSF N CH 30V 8.2A TSOP6
- 接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 1-2MN 28-TSOP
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 16-DFF OPTOCOUPLER 10MBS 4CH 16-FLATPAK
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC SWITCH USB/CVBS/AUDIO 10-TDFN
- 近程 Omron Electronics Inc-IA Div - SENSOR PHOTO TB PNP 18M PLASTIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TUBE FIBR PROTECTN ARMR FLEX .5M
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
0755-82574045 
0755-23914006 
