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IRL540NSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRL540NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRL540NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL540NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRL540NSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：36A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：74nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

LP3985IM5-4.7/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 4.7V .15A SOT-23-5
LMV711M6/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP R-R I/O LP SOT23-6
LFCL0500ZC5
其它 Littelfuse Inc CABLE LIMITER 500MCM 600V CU
IRL540NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
EEC2G305HWNM27
薄膜 Nichicon 徑向 CAP FILM 3UF 400VAC RADIAL
LDS6126PYGI
數(shù)據(jù)采集 - 觸摸屏控制器 IDT, Integrated Device Technology Inc 28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC SENSOR TCH PURETOUCH 28SSOP
ISL23512WFRU10Z-TK
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 10-UFQFN IC POT DGTL PB 16TP LN LP 10TQFN
LMP2232BMAE/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC AMP PREC DUAL LO PWR 8SOIC
LP3985IM5-5.0
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 5V .15A SOT-23-5
LFCL0500ZC8
其它 Littelfuse Inc CABLE LIMITER 500MCM 600V CU
LDS6128NQGI8
數(shù)據(jù)采集 - 觸摸屏控制器 IDT, Integrated Device Technology Inc 40-VFQFN 裸露焊盤(pán) IC SENSOR TCH PURETOUCH 40VFQFPN
EEC2G405HQA405
薄膜 Nichicon 矩形接線盒 CAP FILM 4UF 400VAC QC TERM
ISL23711UIU10Z
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC POT DIGITAL CONTROL 10-MSOP
LMP2232BMMX/NOPB
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC AMP PREC DUAL LO PWR 8MSOP
LMV712LD
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OP AMP DUAL RR I/O W/SD 10LLP