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IRL530詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：930pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL530A詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 14A TO-220; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 7A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：755pF @ 25V; 功率_最大：62W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220; 包裝：管件

IRL530L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 9A，5V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：28nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：930pF @ 25V; 功率_最大：88W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262-3; 包裝：管件

IRL530NL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL530NPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：79W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL530NS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：800pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

KIT 60109
配件 Digital View Inc KIT OSD BRD W/CBL ACG/AVP/SVP/SV
JG0-0023
模塊 - 帶磁性元件的插座 Pulse Electronics Corporation 模塊 CONN PULSEJACK 1X2 PORT GIGABIT
IRL520S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
KMQ250VS182M35X50T2
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1800UF 250V 20% SNAP
IMP1-3Q0-2Q0-2U0-00-B
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KJB0T11W98PNL
圓形 - 外殼 ITT Cannon CONN HSG WALL MNT RCPT 6POS
KPT06E16-8SDZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS W/SKT CABLE
KPT00E20-41P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 41POS W/PIN WALL
KIT 60109
配件 Digital View Inc KIT OSD BRD W/CBL ACG/AVP/SVP/SV
IMP1-3Q0-2Q0-2W0-00-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KJB0T11W98SN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SCKT
KMQ250VS271M22X25T2
電容器 United Chemi-Con 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 270UF 250V 20% SNAP
KPT06E16-8SX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS CABLE W/SKT
KPT00E22-36S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 36POS WALL MNT SKT
JG0-0070NL
模塊 - 帶磁性元件的插座 Pulse Electronics Corporation 模塊 1X6 GIGABIT CONNECTOR BST W/LEDS