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IRL3714L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL3714LPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL3714PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL3714S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3714SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3714STRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

GRM2166T1H100JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 10PF 50V 5% T2H 0805
IRL3705NSTRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
HM17-875562LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
FZ4-655-10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 STD. BOX 4-CAM.PNP
D38999/20FD5SA
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS WALL MNT W/SCKT
HDNS-2100#001
配件 Avago Technologies US Inc. MOUSE LENS OPTICAL SS RECTANGLE
K180J15C0GH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 100V 5% RADIAL
GRM2166T1H100JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 10PF 50V 5% T2H 0805
ISC1210EB820K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 82UH 10% 1210
D38999/20FD5SALC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 5POS WALL MT SCKT
FZ4-700
配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HISPD HMI 2-CAM.NPN
K180K10C0GF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
HDNS-2100#001
配件 Avago Technologies US Inc. MOUSE LENS OPTICAL SS RECTANGLE
GRM2166T1H101JD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 100PF 50V 5% T2H 0805
ISC1210EB8R2J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 8.2UH 5% 1210

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