IRL3705NL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：89A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 46A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRL3705NLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 89A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：89A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 46A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRL3705NPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：89A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 46A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V
- 功率_最大：170W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRL3705NS詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：89A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 46A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL3705NSPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：89A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 46A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL3705NSTRL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：89A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 46A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3600pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- 配件 Cypress Semiconductor Corp MCU PSOC EMU POD FOR 20,28 SOIC
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 IXYS Integrated Circuits Division 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 89A TO-220AB
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.1PF 50V P2H 0603
- FET - 單 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SRAM 16MBIT 8NS 54TSOP
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TRANSCEIVER RS-485/422 5V 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.8PF 50V R2H 0603
- 配件 Cypress Semiconductor Corp MCU PSOC EMU POD FOR 20,28 SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.3PF 50V P2H 0603
- FET - 單 IXYS TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 10PF 100V 5% R2H 0603
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 54-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） IC SRAM 16MBIT 10NS 54TSOP
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 IXYS Integrated Circuits Division TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA IC GATE DVR 9A NON-INV TO263-5
755-83252273 
0755-23914006 
