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IRL2505L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 104A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL2505PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL2505S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL2505SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL2505STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL2505STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：104A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

ISL6405EEB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）裸露焊盤 IC VOLT REG DUAL LNB 28-EPSOIC
HCM49-16.384MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 16.384 MHZ 18PF SMD
IRL2203NSTRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
HCF4049UM013TR
邏輯 - 柵極和逆變器 STMicroelectronics 16-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC BUFF/CNVRTR HEX INVER 16SOICN
IXSH45N100
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 1000V SCSOA TO-247
CV500-LK201
配件 Omron Electronics Inc-IA Div HOST LINK MODULE CV 2 PORTS
J901
配件 Staco Energy Products Company TRANSFORMER VARIABLE
IXSK30N60CD1
IGBT - 單路 IXYS TO-264-3，TO-264AA IGBT 600V SCSOA TO-264
HCM49-17.734475MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD
HCF4068BM1
邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置 STMicroelectronics 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC GATE NAND/AND 8INPUT 14-SOIC
CV500-PS211
配件 Omron Electronics Inc-IA Div POWER SUPPLY 24 VDC INPUT
IXSK50N60BD1
IGBT - 單路 IXYS TO-264-3，TO-264AA IGBT 75A 600V TO-264
J901
配件 Staco Energy Products Company TRANSFORMER VARIABLE
HCM49-17.734475MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD
ISL6406IR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN

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