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IRFS4321PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：83A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 33A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4460pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFS4321TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：83A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 33A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4460pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFS4321TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：83A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 33A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4460pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFS4321TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：83A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 33A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4460pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRFS4321TRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：83A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 33A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4460pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

E3S-X3CB4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 PHOTO ELECTRIC
ISL84716IHZ-T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC SWITCH SPST SC70-5
ISL21009BFB825Z-TK
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VREF SERIES PREC 2.5V 8-SOIC
IRFS4321TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
HD64F2329EVTE25
嵌入式 - 微控制器， Renesas Electronics America 120-TQFP IC H8S MCU FLASH 384K 120-TQFP
HC49US-27.000MABJ
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 27.000 MHZ 18PF HC49/US
IRKD166/16
二極管，整流器 Vishay Semiconductors INT-A-PAK（3） DIODE STD REC 1600V 165A INTAPAK
ISL23445WFVZ-TK
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DGTL POT 256POS 10K 20TSSOP
E3S-X3CB4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 PHOTO ELECTRIC
ISL21009BFB841Z
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VREF SERIES PREC 4.096V 8SOIC
HD64F2338VFC25
嵌入式 - 微控制器， Renesas Electronics America 144-BFQFP MCU 3V 256K 144-QFP
HC49US-27.000MABJ-UB
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 27.000 MHZ 18PF HC49/US
IRKD56/06A
二極管，整流器 Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3） DIODE STD REC 600V 60A ADD-A-PAK
ISL23448TFRZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT 4CH 100K 20QFN
E3S-X3CB4 5M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 METAL FIBER AMP 5M CABLE

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IRFS4321TRLPBF

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HC49US-27.000MABJ

IRKD166/16

ISL23445WFVZ-TK

E3S-X3CB4

ISL21009BFB841Z

HD64F2338VFC25

HC49US-27.000MABJ-UB

IRKD56/06A

ISL23448TFRZ-T7A

E3S-X3CB4 5M