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IRFS4310PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFS4310TRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
IRFS4310TRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFS4310TRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRFS4310TRRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：250nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7670pF @ 50V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFS4310ZPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 75A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6860pF @ 50V
- 功率_最大：250W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM26H/AE26G/HDM26H
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9991TR/A3048B/X 4"
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG CTRLR PWM VM 10-MSOP
- 熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 320X320X3MM
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 13PF 25V 5% NP0 0201
- PMIC - LED 驅動器 International Rectifier 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC LED DRVR HP CONST CURR 8-DIP
- 熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X1MM W/ADH
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9991TR/A3047Y/X 4"
- 過時/停產零件編號 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） EVALUATION BOARD FOR ISL6745
- 熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X10MM W/ADH
- PMIC - 照明，鎮流器控制器 International Rectifier 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC BALLAST CTLR CCFL/EEFL 16SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 15PF 25V 5% NP0 0201
- 熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 640X320X2MM W/ADH
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9991TR/A3048N/X 5"
0755-82575207 
0755-23914006 
