IRFS31N20D 全國供應商、價格、PDF資料
IRFS31N20DPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：107nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2370pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRFS31N20DTRL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2370pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFS31N20DTRLP詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2370pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFS31N20DTRLP詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2370pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRFS31N20DTRLP詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2370pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
IRFS31N20DTRR詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：31A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：82 毫歐 @ 18A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2370pF @ 25V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HI/LO SIDE DUAL 16SOIC
- 配件 Bivar Inc LED COUPLING BAR MOLDED NYL BLK
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRVR DUAL SYNC BUCK 14-SOIC
- 配件 Bivar Inc LED COUPLING BAR MOLDED NYL BLK
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3047S/H9992TR 6"
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HI/LO SIDE DUAL 16SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005（0402 公制） CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
- 矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HPL14H/AE14G/HPL14H
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DVR HI/LOW SIDE 600V 8-SOIC
- 陶瓷 Murata Electronics North America 01005（0402 公制） CAP CER 9.1PF 16V NP0 01005
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H9992TR/A3048S/H9992TR 6"
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2788TR/C2065S/X 2"
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK
13510131896 
0755-23919407 
