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IRFR9210TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9210TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9210TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9210TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR9210TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR9210TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

CY7C1441AV33-133AXI
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 36MBIT 133MHZ 100LQFP
FVXO-PC73BR-24
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 24 MHZ 3.3V PECL SMD
IRFR9210TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
GRM1556T1H1R6CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 1.6PF 50V T2H 0402
FXO-HC736R-59.94161
振蕩器 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 59.94161 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IRF6612TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
IR21364JTRPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 44-PLCC（32 引線） IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44-PLCC
HFBR-EUS500
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BK SIMPLEX UNCONN 500M
FVXO-PC73BR-240
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 240 MHZ 3.3V PECL SMD
GRM1556T1H1R9CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 1.9PF 50V T2H 0402
FXO-HC736R-6
振蕩器 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 6 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IRF6613TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MT MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
HFBR-PUD100
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK DUPLEX UNCONN 100M
IR21364SPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DVR 3PHASE SOFT TURN 28-SOIC
CY7C144-55JC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 68-LCC（J 形引線） IC SRAM 64KB DUAL 68-PLCC