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IRFR9120NCPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR9120NPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR9120NTRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9120NTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9120NTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9120NTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：480 毫歐 @ 3.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：40W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FCN11107_LD1-O-90
光學 - LED，燈 - 透鏡 Ledil LENS FOR OSRAM OS DIAMOND DRAGON
IRFR9024PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
CSX325T13.000M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 13.000MHZ 3.0V SMD
GTC030-28-22P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/PINS
F331K29Y5RN6UV5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 1KV 10% RADIAL
IDT49FCT806APYG
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SSOP
FCN11259_LO1-D
光學 - LED，燈 - 透鏡 Ledil LED PLATINUM DRAGON 21.56MM DIA
IRFR9024TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
CSX325T19.200M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
GTC030-28-22S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/SCKT
F331K29Y5RP63K5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
FCN1206A122J
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
CSX325T26.000M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 26.000MHZ 3.0V SMD
IRFR9120PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
IDT49FCT806ASOG8
時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC