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IRFR5410PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：205 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR5410TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：205 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR5410TRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：205 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR5410TRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：205 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR5410TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：205 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR5410TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 13A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：13A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：205 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V; 功率_最大：66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IXGE200N60B
IGBT IXYS ISOPLUS227? IGBT 600V ISOPLUS227
IRF630BTSTU_FP001
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
IRFR5410TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
GRM1556S1H8R4DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.4PF 50V S2H 0402
FXO-HC736R-27
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 27.000 MHZ 3.3V SMD
CY7C1418KV18-300BZC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM DDR-II CIO 36MB 165FBGA
FVXO-PC73B-537.6
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 537.6 MHZ 3.3V PECL SMD
IR2114SSTRPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 24-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC DVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP
HFBR-5003
配件 Avago Technologies US Inc. SFF MT-RJ PORT PLUG
FXO-HC736R-28.636
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 28.636 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IRF630FP
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
IR2117
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-DIP
HFBR-5208EMZ
光纖 - 收發器 Avago Technologies US Inc. TXRX 1X9 622MB/S SR METAL HOUSE
FVXO-PC73B-60
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 60 MHZ 3.3V PECL SMD
CY7C1420BV18-200BZCT
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165-FPBGA

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