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IRFR3708詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3708PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3708TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3708TRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3708TRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3708TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2417pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR3707Z
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
HLMP-CB31-NRGDD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 472NM BLUE 30DEG
IRF520STRR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
IXFT80N10
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
HFBR-4526Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK DUPL CRIMP RING 500
CY7C1380S-167BZC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-TBGA IC SRAM 512KX36 SYNC 165-FBGA
FVXO-LC73B-148.352
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 148.352 MHZ 3.3V LVDS SMD
GRM1556S1H5R4CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.4PF 50V S2H 0402
HLMP-CB36-QT0DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 470NM BLUE 30DEG
HFBR-4526Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK DUPL CRIMP RING 500
IXFV18N90P
FET - 單 IXYS TO-220-3（SMT）標片 MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
FVXO-LC73B-296.703297
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 296.703297 MHZ 3.3V LVDS SMD
CY7C1381D-100BZI
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 18MBIT 100MHZ 165LFBGA
GRM1556S1H5R5DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.5PF 50V S2H 0402
HLMP-CB37-RSDDD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 470NM BLUE 30DEG

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