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IRFR2407TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR2407TRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR2407TRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR2407TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR2407TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR2407TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IMC1210ER560K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 56UH 10% 1210
JW-13-04-T-S-450-250
面板至面板 - 面板襯墊，堆疊器 Samtec Inc 9-DIP 模塊 CONN STACKER .156" 13POS SGL TIN
IRFR2405TRL
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IL613-3E
數字隔離器 NVE Corp/Isolation Products 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） ISOLATOR 3TX 16SOIC
KPT00F20-41S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 41POS WALL W/SKT
ECQ-E2183JBB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.018UF 250VDC RADIAL
KPSE07E14-12S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS JAM NUT SKT
IXYR100N120C3
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT XPT 1200V 104A ISOPLUS247
IMC1210ER56NJ
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 56NH 5% 1210
IL613E
數字隔離器 NVE Corp/Isolation Products 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） ISOLATOR 3TX 16-SOIC-W
KPT00F22-32S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 32POS W/SKT WALL
IXYX120N120C3
IGBT - 單路 IXYS * IGBT C3 1200V 220A PLUS247
ECQ-E2183JF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.018UF 250VDC RADIAL
KPSE07E14-12SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS JAM NUT SKT
IMC1210ER820J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 82UH 5% 1210

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