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IRFR120詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR120_R4941詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 5.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：50W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：TO-252AA; 包裝：管件

IRFR1205詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：44A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR1205PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：44A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR1205TRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：44A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1205TRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：44A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

E32-T12B 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FIBER OPTIC THROUGH BEAM
IRF7316TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
IRDC3895
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS International Rectifier BOARD EVAL SUPIRBUCK IR3895
IRFR110TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
IPF13N03LA G
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
DTS24F17-35JB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SKT
DTS26F17-6PA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 6POS STRGHT W/PINS
E32-T12F
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FLUORORESIN 80CM THRU BEAM
IRF7321D2TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
IPG20N06S2L-65
FET - 陣列 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
DTS24F17-35JN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 55POS JAM NUT W/SKT
IMC1812RQR82J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 820NH 5% 1812
DTS26F17-6PD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 6POS STRGHT W/PINS
E32-T12F 5M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FLUORORESN 80CM THRUBEAM 5M
IRDCIP2001-A
過時/停產零件編號 International Rectifier IC CONVRTR 2PH BUCK 40A W/IP2001

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