IRFIZ48N詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：42W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：TO-220AB 整包
- 包裝：管件
IRFIZ48NPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V
- 功率_最大：54W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝：TO-220AB 整包
- 包裝：管件
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 28.7 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .005 OHM 2W 1% 2512 SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .001 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 矩形 Samtec Inc TO-220-2 CONN SOCKET IDC DUAL
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
- TVS - 變阻器，MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 510V
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.00K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 390 OHM 4 RES 0804
- 矩形 Samtec Inc TO-220-2 CABLE ASSEM 20POS
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .005 OHM 2W 1% 2512 SMD
- TVS - 變阻器，MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 750V
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.05K OHM 1W 1% 2512 SMD
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0804（2010 公制），凹陷 RES ARRAY 39K OHM 4 RES 0804
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP
0755-88291559 
0755-23919407 
