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IRFHS8242TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 8.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：653pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVQFN; 供應商設備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：Digi-Reel®

IRFHS8242TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 8.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：653pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVQFN; 供應商設備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：帶卷 (TR)

IRFHS8242TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 8.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：653pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVQFN; 供應商設備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：剪切帶 (CT)

LD105C473KAB2A
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IRFHM8363TR2PBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-PowerVDFN MOSFET N CH DUAL 30V 11A PQFN
LD035A471FAB2A
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K681K10X7RF53H5
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陶瓷 AVX Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 2700PF 500V 10% X7R 1210
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陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 6.8PF 50V NP0 0603
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 680PF 50V 10% RADIAL
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