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IRFH7932TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤; 包裝：帶卷 (TR)

IRFH7932TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFH7932TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤; 包裝：Digi-Reel®

IRFH7932TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤; 包裝：Digi-Reel®

IRFH7932TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤; 包裝：帶卷 (TR)

IRFH7932TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：24A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4270pF @ 15V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤; 包裝：剪切帶 (CT)

L60030C1SQDIN
保險絲座 Littelfuse Inc 32-LQFP FUSEBLOCK 30A 600V 1POLE DIN MNT
K681J15C0GF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 680PF 50V 5% RADIAL
JRC-SC2-212
圓形 - 觸點 Hirose Electric Co Ltd CONTACT SKT CRIMP 20-24AWG SILVR
LD08HC471KAB1A
陶瓷 AVX Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 470PF 3KV 10% X7R 1808
IRFH7921TR2PBF
FET - 單 International Rectifier 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IS43DR86400B-3DBLI
存儲器 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 60-TFBGA IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TWBGA
LD101A102JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 1000PF 100V 5% NP0 1210
L60030C2CDIN
保險絲座 Littelfuse Inc 32-LQFP FUSEBLOCK 30A 600V 2POLE DIN MNT
JRC-TC-12
壓接器，施用器，壓力機 Hirose Electric Co Ltd TOOL HAND MANUAL CRIMP 18-20AWG
K681J15C0GH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 680PF 100V 5% RADIAL
LD035A131GAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 130PF 50V 2% NP0 0603
JRCW450U641-TZ
DC DC Converters GE 9-DIP 模塊 DC/DC CONVERTER 48V 450W
LD101C104JAB2A
陶瓷 AVX Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 100V 5% X7R 1210
IS456
光學 - 光電探測器 - 環境光傳感器 Sharp Microelectronics 4-SMD，鷗翼型 LIGHT DETECTOR OPIC 660NM SMD
IRFH7936TR2PBF
FET - 單 International Rectifier 8-PowerVQFN MOSFET N-CH 30V 20A PQFN56

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