IRFBA90N20D 全國供應商、價格、PDF資料
IRFBA90N20DPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：98A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：23 毫歐 @ 59A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6080pF @ 25V
- 功率_最大：650W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：Super-220?-3（直引線）
- 供應商設備封裝：SUPER-220?（TO-273AA）
- 包裝：管件
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
- IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IGBT 600V 2.5A 53.6W TO252-3
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
- 配件 Red Lion Controls EIGHT INPUTS SIX SOLID STATE
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 5.6K OHM 8 RES 1608
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 23.7K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
- IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IGBT 600V 12A 100W TO252-3
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET P-CH 30V 2A MICRO8
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 23.7K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 68 OHM 8 RES 1608
- 單二極管/整流器 Comchip Technology DO-214AC，SMA DIODE SUPER FAST 1A 400V DO214AC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
- IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IGBT 600V 20A 150W TO252-3
0755-88291559 
0755-23919407 
