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IRF9Z24NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9Z24NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9Z24NSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9Z24NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9Z24NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF9Z24NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

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E39-S65C
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT 2MM INSERT TYPE FOR E3Z-T
IRF7488TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC
IRF9953TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC
HFZ102KBFEJ0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 1000PF 6KV 10% RADIAL
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跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3049A/X 10"
HCPL-0501-500E
光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） OPTOCOUPLER TRANS-OUT 1MBD 8SOIC
ISL6256AHAZ-T
PMIC - 電池管理 Intersil 28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC BATTERY CHARGER CTRLR 28-QSOP
E39-S65D
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SLIT 0.5X10MM INSERTIN FOR E3Z-T
IRF7493TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
HFZ152MBFDJ0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 1500PF 6KV 20% RADIAL
H3BXG-10110-B4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015B/X 10"
ISL6261AEVAL2Z
評(píng)估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Intersil 40-VFQFN 裸露焊盤 EVAL BOARD 2 FOR ISL6261A
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光隔離器 - 晶體管，光電輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） OPTOCOUPLER 2CH 1MBS 8-SOIC
IS-C1603
配件 NKK Switches 1210（3225 公制） CONTROL FOR 36X24 LCD PB/DISPLAY

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