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IRF9530NL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF9530NPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：79W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF9530NS詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF9530NSPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF9530NSTRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF9530NSTRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：Digi-Reel®
- AC DC 轉換器 CUI Inc CONVERTR AC-DC 3.3V 1.25A 4.125W
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V/2.8V 10-DFN
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DVR MOSFET N-CH 3PHASE 24SOIC
- FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET P-CH 500V 10A TO-220
- FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
- 陶瓷 Yageo 0805（2012 公制） CAP CER 0.039UF 50V 20% X7R 0805
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V/2.8V 10-DFN
- PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Fairchild Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC FPS SWITCH PWM/SENSEFET 8MDIP
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER 3-PHASE FET 24-SOIC
- FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
- FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
- 陶瓷 Yageo 0805（2012 公制） CAP CER 0.039UF 50V 20% X7R 0805
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V .15A/.3A 10-DFN
- PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Fairchild Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC FPS PWR SWITCH 100KHZ 8-MDIP
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