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IRF8010PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF8010SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF8010STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF8010STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF8010STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF8010STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 45A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：120nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3830pF @ 25V; 功率_最大：260W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

GRM1885C1H121JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 120PF 50V 5% NP0 0603
ISL9003IEJZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil * IC REG LDO 2.8V .15A SC70-5
IRF8010STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
HIN208CBZ-T
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC 4DRVR/4RCVR RS232 5V 24-SOIC
FSDL0365RL
PMIC - AC-DC 轉(zhuǎn)換器，離線開關(guān) Fairchild Semiconductor 8-SOP，8-LSOP IC SWIT PWM GREEN CM OVP HV 8SOP
GRM1885C1H121JA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 120PF 50V 5% NP0 0603
CZRF52C4V3-HF
單二極管/齊納 Comchip Technology 1005（2512 公制） DIODE ZENER 4.3V 200MW 1005
CWX823-064.0M
振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 64.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD
HF70ACC635050-T
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 2520（6450 公制） FERRITE CHIP 500 OHM 3.0A 2520
GRM1885C1H122JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1200PF 50V 5% NP0 0603
FSDM0365RL
PMIC - AC-DC 轉(zhuǎn)換器，離線開關(guān) Fairchild Semiconductor 8-SOP，8-LSOP IC SWIT PWM GREEN CM OVP HV 8SOP
CWX823-125.0M
振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 125.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD
CZRF52C5V1
單二極管/齊納 Comchip Technology 1005（2512 公制） DIODE ZENER 5.1V 200MW 1005
HF759/09SF
扁平帶 3M 2520（6450 公制） CABLE 9COND RND SHIELD GRY 25’
IRF820APBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB

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IRF8010STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

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IRF8010供應(yīng)商

GRM1885C1H121JA01D

ISL9003IEJZ-T

IRF8010STRLPBF

HIN208CBZ-T

FSDL0365RL

GRM1885C1H121JA01J

CZRF52C4V3-HF

CWX823-064.0M

HF70ACC635050-T

GRM1885C1H122JA01D

FSDM0365RL

CWX823-125.0M

CZRF52C5V1

HF759/09SF

IRF820APBF