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IRF7811A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：28V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7811APBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：28V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7811ATR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 28V 11.4A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：28V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7811ATRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：28V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7811ATRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：28V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7811ATRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：28V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：11A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：26nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1760pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

HBX103MBBCRUKR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 10000PF 2KV 20% RADIAL
HCM49-6.000MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.000 MHZ 18PF SMD
IRF7809TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-SOIC
DTS26F25-35HC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 128POS STRGHT W/PINS
IMP4-2N0-1D0-4LL-07-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
HBC13DRYH-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 26POS DIP .100 SLD
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跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015R/H1504TR 2"
HBX103SBBCJ0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 10000PF 2KV RADIAL
HCM49-6.000MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.000 MHZ 18PF SMD
IMP4-2O0-1E0-1Q0-4NN0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F25-35PD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 128POS PIN
H3BBT-10102-W8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048W/H1504TR 2"
HBC13DRYI-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 26POS DIP .100 SLD
HBX103SBBCRUKR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 10000PF 2KV RADIAL
HCM49-6.500MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 6.500 MHZ 18PF SMD

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