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IRF7805ZGPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2080pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7805ZGTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7805ZGTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7805ZGTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2050pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7805ZPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2080pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7805ZTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.8 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2080pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

FSBH0F70ANY_F116
PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Fairchild Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC OFF-LINE SWITCH PWM 8DIP
ISL9000AIRMNZ
PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3V/3.3V .3A 10-DFN
HF50ACB322513-T
鐵氧體磁珠和芯片 TDK Corporation 1210（3225 公制） FERRITE CHIP 60 OHM 400MA 1210
IRF7805ZGTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
HIK561MBJEJ0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 560PF 15KV 20% RADIAL
CZRER52C13
單二極管/齊納 Comchip Technology 0503（1308 公制） DIODE ZENER 13V 150MW 0503
CWX813-066.6666M
振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 66.6666MHZ 3.3V +-25PPM SMD
GRM15XR71H331KA86D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 330PF 50V 10% X7R 0402
FSBM10SH60A
功率驅動器 Fairchild Semiconductor SPM32AA SMART POWER MODULE 10A SPM32-AA
HILP-02V-2-R
矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 徑向，圓盤 CONN PLUG HOUSING 2POS RED
ISL9000IRFCZ-T
PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.5V/1.8V .3A 10-DFN
CWX813-080.0M
振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 80.0000MHZ 3.3V +-25PPM SMD
FSBM15SL60
功率驅動器 Fairchild Semiconductor SPM32AA IC SMART POWER MOD 15A SPM32-AA
GRM1857U1H272JA44D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 2700PF 50V 5% U2J 0603
CZRER52C16-HF
單二極管/齊納 Comchip Technology 0503（1308 公制） DIODE ZENER 16V 150MW 0503

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HILP-02V-2-R

ISL9000IRFCZ-T

CWX813-080.0M

FSBM15SL60

GRM1857U1H272JA44D

CZRER52C16-HF