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IRF7413Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7413ZGTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7413ZGTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7413ZGTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7413ZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7413ZTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 13A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1210pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

HCM12DSAH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
IRF3805STRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
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FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
IRF3205ZPBF
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
E32-T15XB 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div T-BEAM FIBER R4 RUGGED 2M CBL
DTS26F19-11SD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
IMP1-1Q0-1Q0-1Q0-1Q0-1Q0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IPP075N15N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
HCM1305-1R0-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 1.0UH SMD
IRF3314STRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 150V D2PAK
E32-T15Y 2M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER SIDEVIEW THRUBEAM 2M
IMP1-1Q0-3E0-1E0-2D0-43-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F19-32HA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 32POS STRGHT W/PINS
IPP086N10N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
HCM1305-1R0-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 1.0UH SMD

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