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IRF7379詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7379PBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7379QTRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7379QTRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7379TR詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7379TRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 4.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.8A，4.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 5.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：520pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

ISC1812EB100J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 10UH 5% 1812
ISL3293EFHZ-T
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil SOT-23-6 IC TX ESD RS485/422 LP SOT23-6
IRF7353D1
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
GMM43DREF
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET
FP1005R1-R10-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCT LO PROFILE 100NH 53A SMD
GMC12DRAH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 24POS R/A .100 SLD
IP4059CX5/LF,135
TVS - 二極管 NXP Semiconductors 5-UFBGA，WLCSP IC USB2.0 HS ESD PROTECT 5CSP
IRF7353D1TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
ISL3293EFHZ-T7A
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil * IC TXRX
GMM43DRES
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 86POS .156 EYELET
FP1005R1-R10-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCT LO PROFILE 100NH 53A SMD
IP4060CX16/LF,135
TVS - 二極管 NXP Semiconductors 16-WFBGA，WLCSP IC ESD PROTECTION HS MMC 16CSP
GMC12DRAN-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 24POS .100 R/A SLD
ISC1812EB151K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 150UH 10% 1812
ISL3293EIHZ-T7A
接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil * IC TXRX

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