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IRF7240PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9250pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7240TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9250pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7240TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9250pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7240TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9250pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7240TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9250pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7233
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
LMX358AKA+T
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Maxim Integrated SOT-23-8 IC OP AMP LV R-R DUAL SOT23-8
IXGT28N120BD1
IGBT - 單路 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA IGBT 1200V 40A FRD TO-268(D3)
L99MC6
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) STMicroelectronics 16-PSSOP IC DVR 6CHAN CONFIG POWERSSO16
IRF7233TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC
KTSWT100
配件 TDK-Lambda Americas Inc 1812（4532 公制） KIT CONNECTOR FOR SWT100
ISL8022IRZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Intersil 12-VFDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ DL 12DFN
LMX358ASA+T
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP LV R-R DUAL 8-SOIC
IXGT32N170
IGBT - 單路 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA IGBT NPT 1700V 75A TO-268
KTSWT30
配件 TDK-Lambda Americas Inc 1812（4532 公制） KIT CONNECTOR FOR SWT30
ISL8022IRZ-T7A
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Intersil 12-VFDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ DL 12DFN
LMX358AUA+
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Maxim Integrated 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OP AMP LV R-R DUAL 8-UMAX
IXGT39N60BD1
IGBT - 單路 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA IGBT 76A 600V TO-268
L99PD08TR
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) STMicroelectronics 32-LQFP IC DRIVER HIGH SIDE 32-LQFP
IRF7241
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC

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LMX358AKA+T

IXGT28N120BD1

L99MC6

IRF7233TR

KTSWT100

ISL8022IRZ-T

LMX358ASA+T

IXGT32N170

KTSWT30

ISL8022IRZ-T7A

LMX358AUA+

IXGT39N60BD1

L99PD08TR

IRF7241

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