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IRF710詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 歐姆 @ 1.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF7101PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7101TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7101TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7101TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：320pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7103PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：50V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：130 毫歐 @ 3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

HCM49-25.000MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 25.000 MHZ 18PF SMD
HBC08DRYH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .100 EXTEND
IRF6894MTRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N CH 25V 32A DIRECTFET
E32-T81R-S
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 SENS HEAT RESIST 200DEG C M4
H3BBG-10112-G4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015G/H1505TR12"
HCM49-25.175MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 25.175 MHZ 18PF SMD
IR2101S
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC
DTS26F25-20PE-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 30POS PIN
HBC10DREI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EYELET
H3BBG-10112-L8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048L/H1505TR12"
HCM49-3.579545MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
IR2101SPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
DTS26F25-20SC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 30POS STRGHT W/SKT
HBC10DRTH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS .100 EXTEND
E32-TA100
配件 Omron Electronics Inc-IA Div R/A ARMORED FIBER SENSR

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H3BBG-10112-L8-ND

HCM49-3.579545MABJT

IR2101SPBF

DTS26F25-20SC

HBC10DRTH-S13

E32-TA100