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IRF6668TR1PBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRF6668TR1PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V
功率_最大：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ
包裝：Digi-Reel®

IRF6668TR1PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V
功率_最大：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ
包裝：帶卷 (TR)

IRF6668TR1PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：55A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫歐 @ 12A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1320pF @ 25V
功率_最大：2.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ
供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ
包裝：剪切帶 (CT)

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