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IRF6662TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6662TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：Digi-Reel®

IRF6662TR1PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6662TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6662TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：Digi-Reel®

IRF6662TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4.9V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1360pF @ 25V; 功率_最大：2.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 MZ; 供應商設備封裝：DIRECTFET? MZ; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6655TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SH MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
E32-T51V 0.5M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER M4 THRUBEAM .5M
IQ1030 2202
配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
HBC05DRYN-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions SC-70，SOT-323 CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD
HCM49-15.000MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 15.000 MHZ 18PF SMD
H3BBG-10102-Y8-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048Y/H1505TR 2"
DTS26F23-53PC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 53POS STRGHT W/PINS
IMP4-1E0-1E0-4LA0-4LR0-15-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
E32-T51V 1M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER M4 THRUBEAM 1M
HBC05DRYS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions SC-70，SOT-323 CONN EDGECARD 10POS DIP .100 SLD
HCM49-15.000MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 15.000 MHZ 18PF SMD
H3BBG-10103-A8-ND
跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3048A/H1505TR 3"
IMP4-1E0-1G0-1I0-1L0-4NN-00-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
DTS26F23-53PC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 53POS STRGHT W/PINS
E32-T54
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER HEAT RESIST 150DEC C

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