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IRF620S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF620SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF620STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF620STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF620STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF620STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

LM84BIMQAX/NOPB
PMIC - 熱管理 Texas Instruments * IC TEMP SENSOR DIGITAL 16-SSOP
ISL84051IBZ-T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MUX/DEMUX 8X1 16SOIC
IRF6201PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 27A SO-8
KAR02LGGT
DIP E-Switch SW PIANO DIP 2 POS SEALED SMT
LM26CIM5-PHA
溫度 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT-23-5
IHLP6767GZER6R8M11
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 6.8UH 22.5A SMD
IPR-PCI/MT64
軟件 Altera TO-220-3 IP PCI 64BIT MASTER/TARGET RENEW
K334M20X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
LM8500IMT9B
數(shù)據(jù)采集 - 觸摸屏控制器 Texas Instruments * IC TOUCHSCREEN CONTROLLR 48TSSOP
KAR02LHGT
DIP E-Switch SW DIP PIANO SEALED 2POS GOLD
IPR-PCI/T32
軟件 Altera TO-220-3 IP PCI 32BIT TARGET RENEW
K334M20X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.33UF 50V 20% RADIAL
LM26CIM5-PHA/NOPB
溫度 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC THERMOSTAT PRESET SOT-23-5
IHLP6767GZERR47M51
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER .47UH 63A SMD
LM86CIM/NOPB
PMIC - 熱管理 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TEMP SENSOR DGTL 8-SOIC