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IRF5851TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 20V 2.7A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A，2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 15V; 功率_最大：960mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：帶卷 (TR)

IRF5851TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A，2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 15V; 功率_最大：960mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：帶卷 (TR)

IRF5851TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A，2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 15V; 功率_最大：960mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：Digi-Reel®

IRF5851TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.7A，2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.25V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 15V; 功率_最大：960mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）; 包裝：剪切帶 (CT)

K183M10X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
K180K15C0GF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 10% RADIAL
IRF5806TRPBF
FET - 單 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
ECQ-E6473KF3
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
KTR10EZPJ102
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.0K OHM 1/8W 5% 0805 SMD
ISL6612BIR
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
IXFT60N25Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 250V 60A TO-268
K183M10X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
K180K15C0GH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 100V 10% RADIAL
KTR10EZPJ106
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10M OHM 1/8W 5% 0805 SMD
LM5642XMTX/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments * IC REG CTRLR BUCK PWM CM 28TSSOP
ISL6612CB
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
K183M10X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
IXFT66N20Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 200V 66A TO-268(D3)
ECQ-E6473RKF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL

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IRF5851TR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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IRF5851TR供應(yīng)商

K183M10X7RF5TL2

K180K15C0GF5UL2

IRF5806TRPBF

ECQ-E6473KF3

KTR10EZPJ102

ISL6612BIR

IXFT60N25Q

K183M10X7RF5UH5

K180K15C0GH5UH5

KTR10EZPJ106

LM5642XMTX/NOPB

ISL6612CB

K183M10X7RF5UL2

IXFT66N20Q

ECQ-E6473RKF