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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF5810TR 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IRF5810TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.9A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 16V
功率_最大：960mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）
包裝：帶卷 (TR)

IRF5810TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.9A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 16V
功率_最大：960mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）
包裝：剪切帶 (CT)

IRF5810TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.9A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 16V
功率_最大：960mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）
包裝：帶卷 (TR)

IRF5810TRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.9A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.9A，4.5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 16V
功率_最大：960mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro6?（TSOP-6）
包裝：Digi-Reel®

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