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IRF5210STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：38A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 38A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF5210STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：38A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 38A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF5210STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：38A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 38A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF5210STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 24A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF5210STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：38A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 38A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IPP80N04S3-04
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
LM2678SD-3.3/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments 14-VDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK 3.3V 5A 14-LLP
IHLP5050EZER4R7M01
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 4.7UH 12A SMD
IRF510STRRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
KAJ06TGGT
DIP E-Switch SWITCH DIP LOW PRO 6 POS GOLD
LM828M5X/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG SWITCHED CAP INV SOT23-5
ISL83072EIBZA-T7A
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 SGL ESD 8SOIC
IPP80N06S2-09
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
LM2678SD-ADJ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments * IC REG BUCK ADJ 5A 14-LLP
KAJ09LAGT
DIP E-Switch SWITCH DIP LOW PRO 9 POS GOLD
K333K15X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.033UF 50V 10% RADIAL
LM82CIMQA
PMIC - 熱管理 Texas Instruments * IC SENSOR DIGITAL TEMP 16-SSOP
ISL83072EIBZA-T7A
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 SGL ESD 8SOIC
IPP80N06S2L-05
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
LM2678SDX-3.3
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments 14-VDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK 3.3V 5A 14-LLP

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IRF5210STR 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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IRF5210STR供應(yīng)商

IPP80N04S3-04

LM2678SD-3.3/NOPB

IHLP5050EZER4R7M01

IRF510STRRPBF

KAJ06TGGT

LM828M5X/NOPB

ISL83072EIBZA-T7A

IPP80N06S2-09

LM2678SD-ADJ

KAJ09LAGT

K333K15X7RF5UH5

LM82CIMQA

ISL83072EIBZA-T7A

IPP80N06S2L-05

LM2678SDX-3.3