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IRF5210L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 40A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 24A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF5210LPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：38A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 38A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF5210PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 24A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF5210SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：38A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 38A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF5210STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：38A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 38A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF5210STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：38A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 38A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

ISL6505CB-T
PMIC - 電源控制器，監視器 Intersil 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC MULTIPLE POWER CTRLR 20-SOIC
IRF5210SPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
IS-CL04R
配件 NKK Switches 1812（4532 公制） CONTROLLER FOR OLED ROCKER
LMV358IPWR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8TSSOP
ECS-143-20-28AX-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
ECS-184-20-5PX-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432MHZ 20PF SMD
LP2986ILD-3.0/NOPB
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-WDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3V .2A 8-LLP
IXYH30N120C3D1
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3（TO-247AD） IGBT XPT 1200V 66A TO-247
ISL6520ACBZ-T
PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
LP2986ILD-3.3
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments * IC REG LDO 3.3V .2A 8-LLP
ECS-184-S-18-TR
晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 18.432MHZ SERIES SMD
ECS-143-20-28AX-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
LMV358LIDT
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP DUAL R-R LP I/O 8SOIC
IXYH40N120B3D1
IGBT - 單路 IXYS * IGBT B3 1200V 86A TO-247
ISL6520ACR
PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM VM 16-QFN

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