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IRF2807S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：82A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF2807SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：82A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF2807STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：82A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF2807STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：82A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF2807STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：82A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF2807STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：82A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 43A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3820pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IMIFS781BZB
其它 Cypress Semiconductor Corp IC CLOCK SPREAD SPECTRUM
IRF2807L
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 75V 82A TO-262
HCM11DSUS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非標(biāo)準(zhǔn) CONN EDGECARD 22POS .156 DIP SLD
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FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
IRF740B
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220
E32-T14L
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DTS26F19-11HC
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/PINS
IMP1-1E0-1E0-1E0-1G0-1G0-1L0-1V0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IPP037N06L3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IRF740L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
E32-T14L
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE FIBER OPTIC FOR AMP 2PC PT
DTS26F19-11JN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/SKT
IMP1-1E0-1F0-1L0-1L0-1L0-1L0-1S0-00-A
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power SC-74，SOT-457 IMP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
IPP03N03LB G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
HCM12DRAS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非標(biāo)準(zhǔn) CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD

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