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IDT71V424S12Y詳細規(guī)格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：12ns; 接口：并聯(lián); 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：管件

IDT71V424S12Y8詳細規(guī)格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：12ns; 接口：并聯(lián); 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：帶卷 (TR)

IDT71V424S12YG詳細規(guī)格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：12ns; 接口：并聯(lián); 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：管件

IDT71V424S12YG8詳細規(guī)格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：12ns; 接口：并聯(lián); 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：帶卷 (TR)

IDT71V424S12YGI詳細規(guī)格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：12ns; 接口：并聯(lián); 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：管件

IDT71V424S12YGI8詳細規(guī)格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 異步; 存儲容量：4M (512K x 8); 速度：12ns; 接口：并聯(lián); 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：36-BSOJ; 供應商器件封裝：36-SOJ; 包裝：帶卷 (TR)

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IDT71V424S12YREV.Y 北京人上科技有限公司 13910052844（微
IDT71V424S12YI8 深圳市科雨電子有限公司 171-4729-9698
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