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IDT70V658S12BFI詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 雙端口，異步; 存儲容量：2M（64K x 36）; 速度：12ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：208-LFBGA; 供應商器件封裝：208-CABGA（15x15）; 包裝：托盤

IDT70V658S12BFI8詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 雙端口，異步; 存儲容量：2M（64K x 36）; 速度：12ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：208-LFBGA; 供應商器件封裝：208-CABGA（15x15）; 包裝：帶卷 (TR)

IDT70V658S12BFI供應商

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DS1220AD-200IND+
存儲器 Maxim Integrated 24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 16KBIT 200NS 24DIP
GRM31MR71H474KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1206
IDT70V657S12DRI
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 1.125MBIT 12NS 208QFP
LGY2V101MELZ
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 100UF 350V 20% SNAP
IMC1812ER150K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 15UH 10% 1812
GS4901BCNE3
時鐘/計時 - 專用 Semtech 64-VFQFN 裸露焊盤 IC CLOCK GEN SYNTHESIZER
DSP2A-DC5V-R
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V
IHSM5832RF681L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 680UH 0.43A SMD
DS1221S
存儲器 - 控制器 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CTRLR/DECODER 4BIT 16-SOIC
LGY2V151MELZ
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 150UF 350V 20% SNAP
GSA 1
保險絲 Bel Fuse Inc 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" FUSE 1A 250V SLOW CERAMIC GSA
DSP30-24
AC DC 轉換器 TDK-Lambda Americas Inc TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA PWR SUP DIN RAIL 24V 31.2W 1.3A
IHSM7832EB2R7L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 2.7UH 8.2A SMD
IMC1812ER1R5J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.5UH 5% 1812
DS1225AB-85+
存儲器 Maxim Integrated 28-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 64KBIT 85NS 28DIP