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IDT70V3579S6DR詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 1.125MBIT 6NS 208QFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 雙端口，同步; 存儲容量：1.125M（32K x 36）; 速度：6ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3.15 V ~ 3.45 V; 工作溫度：0°C ~ 70°C; 封裝/外殼：208-BFQFP; 供應商器件封裝：208-PQFP（28x28）; 包裝：托盤

IDT70V3579S6DR供應商

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LGY1H562MELB30
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 5600UF 50V 20% SNAP
DS1135LZ-12/T&R
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 12NS 8-SOIC
IDT70V3579S5BCI
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA
GRM31MF51C335ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 3.3UF 16V Y5V 1206
IMC1812BNR10M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100NH 20% 1812
DTS120100SUDC-P6N
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1000MA P6 NEG C
IHSM4825PJ3R3L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 4.6A SMD
DSI30-16AS-TUBE
單二極管/整流器 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB DIODE STD 1600V 30A TO-263AA
DS1135LZ-12+T&R
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 12NS 8-SOIC
IMC1812BNR33J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 330NH 5% 1812
DTS120100SUDC-P7/RP
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1000MA P7 RA POS
LGY1J222MELZ35
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 2200UF 63V 20% SNAP
IHSM4825PJ560L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 56UH 0.95A SMD
DSI75-08B
單二極管/整流器 IXYS DO-203AB，DO-5，接線柱 DIODE CATH 1200V 110A DO-203AB
IDT70V3589S166BC
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA