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IDT70V27L20PFI8詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP; 系列：-; 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：SRAM - 雙端口，異步; 存儲容量：512K (32K x 16); 速度：20ns; 接口：并聯; 電壓_電源：3 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：100-LQFP; 供應商器件封裝：100-TQFP（14x14）; 包裝：帶卷 (TR)

IDT70V27L20PFI8供應商

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DSEP9-06CR
單二極管/整流器 IXYS ISOPLUS247? DIODE FRED 600V 9A ISOPLUS-247
GRM31CR71H225KA88L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 50V 10% X7R 1206
IMC1210SY181J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 180UH 5% 1210
DTS060200SUDC-P13N
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 6VDC 2000MA P13 NEG C
LGUW6181MELA
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 180UF 420V 20% SNAP
DS1100Z-175+
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 175NS 8-SOIC
DSF050J105
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP FILM 1UF 50VDC RADIAL
IHSM3825RE3R3K
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3.3UH 2.94A SMD
IMC1210SY2R2K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 2.2UH 10% 1210
GRM31CR72A105MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 100V 20% X7R 1206
DS1100Z-20/T&R/C705
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DELAY LINE 5TAP 20NS 8-SOIC
LGUW6221MELC
電容器 Nichicon 徑向，Can - 卡入式 CAP ALUM 220UF 420V 20% SNAP
IHSM4825EB470L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 47UH 1.07A SMD
DSF050J124
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向 CAP FILM 0.12UF 50VDC RADIAL
IMC1210SY33NJ
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 33NH 5% 1210