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HUFA75329P3詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB; 系列：UltraFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：49A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫歐 @ 49A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 20V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 25V; 功率_最大：128W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

GRM1556T1H7R9CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 7.9PF 50V T2H 0402
GRM2196S2A620JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 62PF 100V 5% S2H 0805
HUFA75307D3ST
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 15A DPAK
CPA250-4530
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Power-One 20-DIP（0.300"，7.62mm） PWR SUP 250W 3.3/5/12/-12V QUAD
HUFA75307T3ST
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4
CPA2512E39R0FS-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512（6432 公制） RES 39.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
GRM1556T1H8R0DD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8PF 50V T2H 0402
GRM2196S2A7R9DD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 7.9PF 100V S2H 0805
HUFA75329D3S
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
CPA2512E56R0FS-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512（6432 公制） RES 56.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
GRM2196S2A7R9DD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 7.9PF 100V S2H 0805
GRM1556T1H8R3CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 8.3PF 50V T2H 0402
HUFA75329S3S
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
CPA2512E68R0FS-T10
芯片電阻 - 表面安裝 Susumu 2512（6432 公制） RES 68.0 OHM 16W 1% 2512 SMD
HUFA75344P3_F085
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB