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HMK432B7225KM-T詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812; 系列：M; 制造商：Taiyo Yuden; 電容：2.2µF; 電壓_額定：100V; 容差：±10%; 溫度系數：X7R; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：通用; 額定值：-; 封裝/外殼：1812（4532 公制）; 尺寸/尺寸：0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm）; 高度_座高（最大）：-; 厚度（最大）：0.106"（2.70mm）; 引線間隔：-; 特點：高電壓; 包裝：帶卷 (TR)

HMK432B7225KM-T詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812; 系列：M; 制造商：Taiyo Yuden; 電容：2.2µF; 電壓_額定：100V; 容差：±10%; 溫度系數：X7R; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：通用; 等級：; 封裝/外殼：1812（4532 公制）; 大小/尺寸：; 高度_安裝（最大值）：; 厚度：; 厚度（最大值）：; 引線間距：; 特性：; 包裝：剪切帶 (CT); 故障率：

HMK432B7225KM-T詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812; 系列：M; 制造商：Taiyo Yuden; 電容：2.2µF; 電壓_額定：100V; 容差：±10%; 溫度系數：X7R; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：通用; 等級：; 封裝/外殼：1812（4532 公制）; 大小/尺寸：; 高度_安裝（最大值）：; 厚度：; 厚度（最大值）：; 引線間距：; 特性：; 包裝：帶卷 (TR); 故障率：

HMK432B7225KM-T詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812; 系列：M; 制造商：Taiyo Yuden; 電容：2.2µF; 電壓_額定：100V; 容差：±10%; 溫度系數：X7R; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：通用; 額定值：-; 封裝/外殼：1812（4532 公制）; 尺寸/尺寸：0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm）; 高度_座高（最大）：-; 厚度（最大）：0.106"（2.70mm）; 引線間隔：-; 特點：高電壓; 包裝：Digi-Reel®

HMK432B7225KM-T詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812; 系列：M; 制造商：Taiyo Yuden; 電容：2.2µF; 電壓_額定：100V; 容差：±10%; 溫度系數：X7R; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：通用; 額定值：-; 封裝/外殼：1812（4532 公制）; 尺寸/尺寸：0.177" L x 0.126" W（4.50mm x 3.20mm）; 高度_座高（最大）：-; 厚度（最大）：0.106"（2.70mm）; 引線間隔：-; 特點：高電壓; 包裝：剪切帶 (CT)

HMK432B7225KM-T詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812; 系列：M; 制造商：Taiyo Yuden; 電容：2.2µF; 電壓_額定：100V; 容差：±10%; 溫度系數：X7R; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：通用; 等級：; 封裝/外殼：1812（4532 公制）; 大小/尺寸：; 高度_安裝（最大值）：; 厚度：; 厚度（最大值）：; 引線間距：; 特性：; 包裝：Digi-Reel®; 故障率：

MIC2185YQS
PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Micrel Inc 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC REG CTRLR BST PWM CM 16-QSOP
NP50P04SDG-E1-AY
FET - 單 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH -40V -50A TO-252
HMK432B7225KM-T
陶瓷 Taiyo Yuden 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
NOJB226M010RWJ
氧化鈮 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP NIOB OXIDE 22UF 10V 1210
P1168.823NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCTOR PWR SHIELD 82UH SMD
NSBC124EPDXV6T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
NOJF157M006RWJ
氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 150UF 6.3V 2312
MGA-68563-TR1G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP LNA MMIC GAAS SMD SOT-363
NP52N06SLG-E1-AY
FET - 單 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 52A TO252
NOJC107M002SWJ
氧化鈮 AVX Corporation 2312（6032 公制） CAP NIOB OXIDE 100UF 2.5V 2312
P1169.124NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCTOR PWR SHIELD 120UH SMD
MGA-68563-TR2G
RF 放大器 Avago Technologies US Inc. 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC RF AMP LNA GAAS MMIC SOT-363
NOJP106M002RWJ
氧化鈮 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP NIOB OXIDE 10UF 2.5V 0805
NSBC143EDXV6T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
NP55N055SUG-E1-AY
FET - 單 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 55A TO-252