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» 型號"HBZ332MBBCRUKR"的供應(yīng)信息
HBZ332MBBCRUKR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料
型號:
廠商:
批號:
封裝:
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HBZ332MBBCRUKR詳細(xì)規(guī)格
類別:陶瓷
描述:CAP CER 3300PF 2KV 20% RADIAL
系列:H
制造商:Vishay BC Components
電容:3300pF
電壓_額定:2000V(2kV)
容差:±20%
溫度系數(shù):-
安裝類型:通孔
工作溫度:-40°C ~ 85°C
應(yīng)用:通用
等級:-
封裝/外殼:徑向,圓盤
大小/尺寸:0.512" 直徑(13.00mm)
高度_安裝(最大值):0.630"(16.00mm)
厚度:
厚度(最大值):-
引線間距:0.295"(7.50mm)
特性:高電壓
包裝:散裝
故障率:
HBZ332MBBCRUKR詳細(xì)規(guī)格
類別:陶瓷
描述:CAP CER 3300PF 2KV 20% RADIAL
系列:H
制造商:Vishay BC Components
電容:3300pF
電壓_額定:2000V(2kV)
容差:±20%
溫度系數(shù):-
安裝類型:通孔
工作溫度:-40°C ~ 85°C
應(yīng)用:通用
額定值:
封裝/外殼:徑向,圓盤
尺寸/尺寸:
高度_座高(最大):
厚度(最大):
引線間隔:
特點:
包裝:散裝
HBZ332MBBCRUKR供應(yīng)商
HBZ332MBBCRUKR
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
HBZ332MBBCRUKR
北京元坤國際科技有限公司
010-62104931、
查看更多HBZ332MBBCRUKR的供應(yīng)商
FGG.0B.307.CLAD35
連接器,互連器件 LEMO PLUG CDG 7CTS C-COL
IPP048N12N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
HBZ222MBBCRAKR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 2200PF 2KV 20% RADIAL
H2BXG-10104-Y4-ND
跳線,預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015Y/X 4"
IRF7821GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
IRF6621TR1
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
GP1S44S1
光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 Sharp Microelectronics 模塊,連接器 PHOTOINTERRUPTER SLOT W/CONN
HBZ331KBBCF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
FGG.0B.307.CLAD52Y
連接器,互連器件 LEMO PLUG CDG 7CTS C-COL
H2BXG-10105-N4-ND
跳線,預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A2015N/X 5"
IRF7822PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
GP1S44S1J00F
光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 Sharp Microelectronics 模塊,連接器 PHOTOINTERRUPTER SLOT W/CONN
IRF6621TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
FGG.0B.307.CYCD56
連接器,互連器件 LEMO PLUG CDG 7CTS C-COL
IPP052NE7N3 G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
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