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GJM0335C1E5R2CB01D 全國供應商、價格、PDF資料

GJM0335C1E5R2CB01D詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201; 系列：GJM; 制造商：Murata Electronics North America; 電容：5.2pF; 電壓_額定：25V; 容差：±0.25pF; 溫度系數：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻; 額定值：; 封裝/外殼：0201（0603 公制）; 尺寸/尺寸：; 高度_座高（最大）：; 厚度（最大）：; 引線間隔：; 特點：; 包裝：帶卷 (TR)

GJM0335C1E5R2CB01D詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201; 系列：GJM; 制造商：Murata Electronics North America; 電容：5.2pF; 電壓_額定：25V; 容差：±0.25pF; 溫度系數：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻; 等級：-; 封裝/外殼：0201（0603 公制）; 大小/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）; 高度_安裝（最大值）：-; 厚度：; 厚度（最大值）：0.013"（0.33mm）; 引線間距：-; 特性：高 Q 值，低損耗; 包裝：帶卷 (TR); 故障率：

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IRFU9120
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
FDS6676AS
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
GJM0335C1E5R1CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
ISC1812ES1R8K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812
IRFU9120NPBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
H48-6G-100-100-3.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X3MM
IPW65R190E6
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
IRFU9310PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK
FDS6680AS
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
IRFW630BTM_FP001
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
H48-6G-150-150-1.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
IQ1030 2202
配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
FDS6682
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
IRFZ14STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
ISC1812ESR12K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 10% 1812

復制成功！

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