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GJM0335C1E5R0CB01D詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 5PF 25V NP0 0201; 系列：GJM; 制造商：Murata Electronics North America; 電容：5.0pF; 電壓_額定：25V; 容差：±0.25pF; 溫度系數：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻; 額定值：-; 封裝/外殼：0201（0603 公制）; 尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）; 高度_座高（最大）：-; 厚度（最大）：0.013"（0.33mm）; 引線間隔：-; 特點：高 Q 值，低損耗; 包裝：帶卷 (TR)

GJM0335C1E5R0CB01D詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 5PF 25V NP0 0201; 系列：GJM; 制造商：Murata Electronics North America; 電容：5.0pF; 電壓_額定：25V; 容差：±0.25pF; 溫度系數：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻; 等級：; 封裝/外殼：0201（0603 公制）; 大小/尺寸：; 高度_安裝（最大值）：; 厚度：; 厚度（最大值）：; 引線間距：; 特性：; 包裝：帶卷 (TR); 故障率：

GJM0335C1E5R0CB01D詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 5PF 25V NP0 0201; 系列：GJM; 制造商：Murata Electronics North America; 電容：5.0pF; 電壓_額定：25V; 容差：±0.25pF; 溫度系數：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻; 額定值：-; 封裝/外殼：0201（0603 公制）; 尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）; 高度_座高（最大）：-; 厚度（最大）：0.013"（0.33mm）; 引線間隔：-; 特點：高 Q 值，低損耗; 包裝：Digi-Reel®

GJM0335C1E5R0CB01D詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 5PF 25V NP0 0201; 系列：GJM; 制造商：Murata Electronics North America; 電容：5.0pF; 電壓_額定：25V; 容差：±0.25pF; 溫度系數：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻; 等級：; 封裝/外殼：0201（0603 公制）; 大小/尺寸：; 高度_安裝（最大值）：; 厚度：; 厚度（最大值）：; 引線間距：; 特性：; 包裝：剪切帶 (CT); 故障率：

GJM0335C1E5R0CB01D詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 5PF 25V NP0 0201; 系列：GJM; 制造商：Murata Electronics North America; 電容：5.0pF; 電壓_額定：25V; 容差：±0.25pF; 溫度系數：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻; 額定值：-; 封裝/外殼：0201（0603 公制）; 尺寸/尺寸：0.024" L x 0.012" W（0.60mm x 0.30mm）; 高度_座高（最大）：-; 厚度（最大）：0.013"（0.33mm）; 引線間隔：-; 特點：高 Q 值，低損耗; 包裝：剪切帶 (CT)

GJM0335C1E5R0CB01D詳細規格: 類別：陶瓷; 描述：CAP CER 5PF 25V NP0 0201; 系列：GJM; 制造商：Murata Electronics North America; 電容：5.0pF; 電壓_額定：25V; 容差：±0.25pF; 溫度系數：C0G，NP0; 安裝類型：表面貼裝，MLCC; 工作溫度：-55°C ~ 125°C; 應用：RF，微波，高頻; 等級：; 封裝/外殼：0201（0603 公制）; 大小/尺寸：; 高度_安裝（最大值）：; 厚度：; 厚度（最大值）：; 引線間距：; 特性：; 包裝：Digi-Reel®; 故障率：

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IPW60R190C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
IRFU5305PBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
GJM0335C1E4R8BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201
ISC1812ES181J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 180UH 5% 1812
IRFU5505
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
FDS6675BZ
FET - 單 Fairchild Optoelectronics Group 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
IPW65R110CFD
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
H48-6C-640-320-2.0-1A
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH
IRFU6215
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 150V 13A I-PAK
H48-6G-100-100-2.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 100X100X2MM
IPW65R190C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247
IRFU9120
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK
FDS6676AS
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
GJM0335C1E5R1CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201
ISC1812ES1R8K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812