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FQP19N20詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 9.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1600pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：管件

FQP19N20C詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-220; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1080pF @ 25V; 功率_最大：139W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：管件

FQP19N20C_F080詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-220; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1080pF @ 25V; 功率_最大：139W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：管件

FQP19N20CTSTU詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-220; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：170 毫歐 @ 9.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1080pF @ 25V; 功率_最大：139W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：管件

FQP19N20L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 21A TO-220; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220; 包裝：管件

FHB.0B.305.CLAD52
連接器，互連器件 LEMO PLUG 90 CDB 5CTS C-COL
GSC26DRYS-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS DIP .100 SLD
FHG.0B.303.CLAD52Z
連接器，互連器件 LEMO PLUG 90 CDG 3CTS C-COL
FQP18N50V2
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
GSC26DTEF
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS .100 EYELET
FHG.0B.305.CLAD56Z
連接器，互連器件 LEMO PLUG 90 CDG 5CTS C-COL
FQP19N20C_F080
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
GSC26DTEH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS .100 EYELET
FQB1P50TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
GSC28DRTN-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 56POS DIP .100 SLD
FQB1P50TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
FQP20N06
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
FHG.0B.307.CLAD35
連接器，互連器件 LEMO PLUG 90 CDG 7CTS C-COL
GSC28DRYH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 56POS DIP .100 SLD
FQB27P06TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK

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